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浅谈彩色滤光片生产制程不良解析及设备应用

来源:核心期刊论文发表咨询网 所属分类:理工论文 点击:次 时间:2019-07-26 09:35

  摘 要:中电熊猫液晶材料科技有限公司自2012年建厂以来,在产线设备装机、调试的同时,也兼顾着实验室的相关设备安装,主要设备有FT-IR(红外光谱仪)、SEM/EDS(扫描电子显微镜/能谱仪)、3D显微镜、小型色度机、接触式膜厚计。自2013年年底开始陆续投入使用,现已能够充分配合产线,对不良缺陷的形态、成分进行定量定性分析,也可对成品进行信赖性测试。

  关键词:不良品 红红外光谱仪 客诉NR 扫描电子显微镜

浅谈彩色滤光片生产制程不良解析及设备应用

  随着TFT-LCD(Thin Film Transistor Liquid Crystal Display,薄膜晶体管液晶显示器)的流行,TFT-LCD正逐渐成为主流显示设备。在TFT-LCD显示设备当中,TFTLCD面板是其主要部件。作为TFT-LCD面板的重要组件之一,彩色滤光片(Color Filter,简称CF)的质量对整个TFTLCD产品影响巨大。而在彩色滤光片制造中会出现一些常见的和突发的缺陷问题,它们直接影响着本身的合格率,也影响着TFT-LCD面板客户的合格率和满意度。为此,我们必须着力对这些缺陷进行分析并找到快速、有效的解决方案,因此制程不良的解析及解析设备的有效应用变得至关重要。实验室是确保产线高品质、高质量生产的后备力量,是分析产线不良的重要环节。对CF产品进行表面、切面观察分析,品质确认,信赖性测试等。

  1 实验室不良品解析种类

  汇总实验室分析事项,主要需分析事项为客诉不良品解析、产线其他测试、异物取样成分分析。

  (1)客诉不良:异常集中于异物类,显影不良、色度异常、共通等。较严重的是38.5 UV2A NR不良,周不良率最高达到1.3%。现每周客户端会对NR不良进行挑样解析,在显微镜下区分不良发生侧(TFT/CF/Cell),做好分类,CF责不良品将由我们取回解析,履历调查,成因分析。

  (2)产线异物取样成分分析:在平时对设备维护保养过程中,对粉末状异物、磨屑、升华物等取样进行成分分析,或针对造成产线良率低,修补难的已知缺陷不良进行取样,分析不良原因,以解决产线良率低的问题。

  2 实验室不良品解析设备

  2.1 FT-IR(红外光谱仪)

  连续波长的红外光通过物质,某些波长的光被物质吸收,物质分子中某个基团振动频率与红外光的频率一样,二者发生共振,分子吸收能量,由基态振动能级跃进到能量较高的振动能级。因此,通过红红外光谱图,可鉴别物质的类型。

  红外光谱图表示分子吸收红外的情况。纵坐标 T% 表示百分透光率,即红外吸收的强弱。T%=(I/ I0)%,I为透过光强度,I 0为入射光强度。横坐标表示波数σ,σ=1/ [λ(cm)]=104/[λ(μm)](cm-1)。

  FT-IR红外光谱仪分析主要针对有机物的能谱图进行比对,需事先建立充足的数据库,有利于在产线有突发不良时,在未知成因的情况下,进行FT-IR成分分析,进行能谱比对,以匹配出性质最为相近的物质。因数据库限制,产线设备维护保养时,需收集异常物质,如粉末状碎屑、润滑油、升华物等,进行FT-IR打样,完善数据库。

  2.2 SEM/EDS(扫描电子显微镜/能谱仪)

  2.2.1 扫描电子显微镜

  主要是利用二次电子信号成像来观察样品的表面形态,即用狭窄的电子束去扫描样品,通过电子束与样品的相互作用产生各种效应,其中主要是样品的二次电子发射。二次电子能够产生样品表面放大的形貌像,这个像是在样品被扫描时按时序建立起来的,即使用逐点成像的方法获得放大像。

  SEM的优点是:(1)有较高的放大倍数,放大倍数连续可调;(2)有很大的景深,视野大,成像富有立体感,可直接观察各种试样凹凸不平表面的细微结构;(3)试样制备简单。

  2.2.2 能谱仪

  用来对材料微区成分元素种类与含量分析,配合扫描电子显微镜的使用。因各种元素具有自己的X射线特征波长,特征波长的大小则取决于能级跃迁过程中释放出的特征能量,能谱仪就是利用不同元素X射线光子特征能量不同这一特点来进行成分分析的。

  2.2.3 SEM/EDS实验室应用实例

  38.5 UV2A产品客诉NR爆量,实验室持续解析不良品,NR类型主要是异物型及PS高模式。

  NR解析思路如下。

  (1)查询客户码对应CF ID,确认厂内生产履历,记录基板各制程作业线别、时间以及该基板是否经过repair站点。对比客户端解析显微镜图片对应产线AOI及修补有无检出同类缺陷。确定不良产品经过的线体,制程参数。

  (2)3D显微镜20X观察异物表面形态,并于50X下测量异物高度,记录3D图像。测量异物大小,高度,区分异物位于画素层别。

  (3)根据3D显微镜记录图片,查询该基板在repair站点及各制程AOI review图片。若有对应异物点,记录坐标,依次查询前制程AOI上报坐标点,找到异物产生线别。

  (4)选取特征性较明显的异物进行EDS成分分析。

  (5)根据EDS成分分析,初步确定异物成分及产生工序,结合产线查询结果,找出共通性。从而确定不良成因。

  利用SEM,能够更为细致地观察样品表面形态,可测量两点间距离,如ITO/PI膜厚,倾斜角度后观察断层,分析不良品成因。EDS可精确分析样品所含元素种类及含量,用于辨别异物成分,但不能完全将异物定性。

  2.3 3D显微镜

  3D显微镜可利用2D、3D模式,观察样品表面形态,水平、竖直、点与点间测量距离,亦可选取参照物,测量目标物体的高度。倍率有5X/10X/20X/50X/100X。具备表面观察及高度测量功能。

  在不良品解析中,3D显微镜的应用实例如下。

  (1)客诉mura、NR、修补不良等,可利用3D显微镜测量 PS和异物高度。

  (2)厂内异物取样表面观察、3D测高。

  2.4 小型色度机

  小型色度机主要针对Mura类不良进行分析。广泛应用于色差mura解析、信赖性实验、标准片测试等。

  Mura解析思路如下。

  将客户端取回标记好Mura位置,去除PI的样片,先至 Macro绿灯下目视观察,确认Mura是否肉眼可见,形状,位置及可视角度。

  至小型色度机横跨Mura区域逐个测量RGB画素的色度值。

  将结果作成图表,对比数据,确认Mura区与非Mura区色度差值。一般差值超过3%。可直接确定为该色阻层异常,对应为膜厚差异,可推测为涂布制程产生不良。锁定线体及机台,进行原因分析。

  2.5 接触式膜厚计

  接 触 式 膜 厚计可 精 确 测 量 样 品膜 厚,精度 达 到 0.01μm,主要用于RGB膜厚、牛角、ITO膜厚等高度测量。针对客户端返回的样品,因无法进行光学式膜厚测量,仅可使用接触式膜厚计进行膜厚段差测量。此设备使用前制样很关键,需先在样品上针对测量区域用刀片刮出V字样区域,测量区位于V字尖端,测量时横跨尖端进行接触式测量。

  3 结语

  目前TFT-LCD所应用的实验设备对于不良的分析已有一定的经验,但针对不良品的定量定性分析还存在一定的难度,需持续摸索,不断累积经验,将更先进的实验技术应用到实际的不良分析中。

  参考文献

  [1] 马群刚.TFT-LCD原理与设计[M].北京:电子工业出版社,2011:147-148.

  [2] 黄新民,解挺.材料分析测试方法[M].北京:国防工业出版社,2006.

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